Descubren método eficiente de producir masivamente transistores de 3 átomos de grosor

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Investigadores de la Universidad de Cornell han desarrollado un método novedoso y altamente eficiente de producir un material experimental conocido como TMD, una película delgada de alta conectividad, para masivamente desde transistores de 3 átomos de grosor, paneles solares hasta dispositivos flexibles.

Transition Metal Dichalcogenide (TMD) podría ayudar a extender la Ley de Moore, proporcionando un sustrato estable y compacto en el que los ingenieros puedan empacar un número cada vez mayor de circuitos.

Sin embargo, ya que es sólo de tres átomos de espesor, la producción de TMD normalmente sufre de una alta tasa de rotura y fallas.

El nuevo método de Cornell que mezcla diethylsulfide y un compuesto de metal hexacarbonyl sobre una oblea de silicio y luego los hornea durante 26 horas en gas de hidrógeno, ha demostrado ser mucho más exitoso.

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Con estos resultados el equipo de investigación espera agilizar el proceso de fabricación, así como mejorar la consistencia de la película resultante.

La tecnología está al menos un par de años de distancia de ser comercialmente viable, pero cuando lo sea, podremos ver el comienzo de una nueva era electrónica súper poderosa y fina como el papel.

Fuente: Engadget