Nuevo semiconductor con geometría 2D permitiría una electrónica mucho más rápida

Un nuevo tipo de semiconductor es el primer material con una geometría 2D, capaz de proporcionar las propiedades eléctricas del silicio, y su forma podría significar que en realidad es capaz de superarlo.

Al igual que el grafeno, el nuevo semiconductor es una capa 2D que sólo tiene un solo átomo de espesor.

Compuesto de oxígeno y estaño, las hojas 2D conduce la carga eléctrica mucho más rápido que los semiconductores como el silicio 3D convencional.

La nueva generación de materiales 2D grafeno, estaneno y borofeno posee propiedades eléctricas increíbles.

Algunos de ellos conducen electrones mejor que muchos otros materiales. Sin embargo, con el fin de reemplazar el estándar que es el silicio en dispositivos electrónicos, eso no es suficiente.

Un semiconductor, que es el tipo de material utilizado en los transistores que, cuando se agregan, pueden crear chips informáticos, no se fía solo en mover electrones con carga negativa, sino también “agujeros” cargados positivamente. (La mejor manera de pensar en un agujero es como la falta de un electrón en una posición en la que uno podría existir).
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El nuevo material de monóxido de estaño es el primer semiconductor 2D que permite el movimiento de los electrones negativos y los agujeros positivos.

El material debe hacer posible la creación de transistores que sean más pequeños y más rápidos que los que se utilizan hoy en día, y se calcula que el golpe de velocidad podría ser tanto como un factor de 100.

También señala que la estructura 2D es más fría y más eficiente: con un menor número de colisiones de electrones, hay menos acumulación de calor y desperdicio, reduciendo la necesidad de enfriamiento y prolongando la vida de la batería de arranque.

Los investigadores de la Universidad de Utah estiman que en dos o tres años deberían ver al menos algún dispositivo prototipo.

Fuente: Gizmodo