Usted puede pensar que 3 GB de memoria en su nuevo teléfono inteligente es algo maravilloso, pero palidece en comparación con lo que la Universidad de Rice está desarrollando.

Sus científicos han detallado una forma de RAM resistiva (RRAM) que pueden hacer usando equipo habitual a temperatura ambiente, por lo que es algo práctico para los aparatos hoy en día.

El truco consiste en el uso de óxido de silicio poroso, donde los metales (como el oro o platino) llenan los vacíos.

Usar el material de silicio no sólo ofrece a los fabricantes algo familiar para trabajar, también requiere mucho menos energía que las técnicas anteriores, puede durar 100 veces más, y no se inmuta por el calor.

También es mucho más densa que anteriores RRAM, almacena nueve bits por celda, cuando el almacenamiento flash convencional se detiene en tres.
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El resultado es un chip de memoria RAM fácil de hacer, con el tipo de capacidad que cabría esperar de un mayor almacenamiento permanente, como un SSD: se podría tener 1 Terabyte en un componente del tamaño de una estampilla de correos.

Eso es casi ideal para los dispositivos móviles, y podría significar que los teléfonos y las tabletas futuras no tendrán que preocuparse por los errores de memoria insuficiente durante mucho, mucho tiempo.

La tecnología que fabricará la compañía Crossbar, a finales de este año, estará inicialmente en chips destinados a electrodomésticos y automóviles, por lo que el avance no será perceptible a primera vista, pero se irá volviendo común, poco a poco.

Fuente: Engadget

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