IBM logra un hito al producir el primer chip de 7nm

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IBM, en colaboración con GlobalFoundries, Samsung, SUNY y varios proveedores, ha logrado producir el primer diseño de chip de 7nm con transistores totalmente funcionales.

Pese a que faltan dos o tres años para poder verlos en producción la presentación es sumamente importante, es un hito en la historia de la tecnología.

Cuando todos los analistas veían difícil que la Ley de Moore se siguiera aplicando tras la producción de chips de 14nm, IBM presenta un chip fabricado con un nodo de producción de menos de 10nm (histórico de por sí, ya que sería el primer chip comercial de menos de 10nm FinFET), usa silicato de germanio como material y, no menos importante, es el primero en ser producido mediante litografía de luz ultravioleta extrema (EUV).

Desarrollado en la IBM/SUNY (Universidad del Estado de Nueva York), Albania, cuenta con transistores FinFET con una particularidad que lo hace muy especial: se usa una aleación de silicio-germanio en lugar de usar sólo silicio.

Para alcanzar el nivel geométrico de precisión tan alto que requiere el material se usa un patrón cuádruple de auto alineado “tallado” con luz ultravioleta extrema en la litografía.

IBM asegura que la reducción en área del chip será del 50% comparado a los chips de 10nm, que todavía no han llegado al consumidor).

IBM y sus partners tienen como objetivo producir un chip que sea 50% más potente y eficiente a la vez que la generación de 10nm.

Si lo comparamos con los 14nm de los que disponemos en la actualidad (el Exynos 7420, por ejemplo), el cambio será mucho más pronunciado y prometedor.
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El silicio-germanio tiene permite un mayor flujo de movimiento de electrones, lo que lo hace más adecuado para transistores más pequeños.

El espacio entre dos núcleos de silicio es de aproximadamente 0.5nm: como el “gate” es aún más pequeño (7nm en este caso), el canal se hace tan pequeño que los átomos de silicio no pueden transportar la suficiente carga eléctrica.

Añadiendo algo de Germanio al canal de paso, la movilidad de los electrones aumenta y se adecua la corriente que transportan.

El silicio conlleva muchos problemas en nodos de producción menores a los 10nm, así que es de esperar que la industria replique este avance que IBM, GlobalFoundries y Samsung han desarrollado.

Toca esperar, los 10nm están llegando de la mano de Intel, TSMC, GlobalFoundries y Samsung.

Es muy pronto para conocer una fecha, y la luz ultravioleta extrema puede ser el mayor escollo en la producción. Veremos.

Fuente: Hipertextual