La tecnología fotónica de silicio en la que IBM lleva un largo tiempo trabajando, y ahora logró evaluar satisfactoriamente durante esta semana.

Ingenieros alrededor del globo han creado toda clase de métodos para insertar más bytes en un mismo canal, sin embargo, esto no es magia, y existen límites definidos.

La solución que buscan implementar esos ingenieros es nada menos que la óptica, dando lugar al esperado chip electro-óptico, que reemplazará una parte de las señales eléctricas con pulsos de luz.

Eso es exactamente lo que la gente de IBM logró evaluar en los últimos días.

Se calcula que su flamante chip fotónico de silicio pronto habilitará el desarrollo de nuevos transceptores con una velocidad máxima de 100 gigabits por segundo, gracias a cuatro canales multiplexados de 25 gigabits por segundo cada uno.

Si bien la óptica y la electrónica del chip comparten el mismo paquete, aún existen ciertas diferencias de escala, y los láseres son producidos «fuera» del chip, requiriendo a su vez puertos de entrada dedicados.
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Aún así, la teoría detrás de esta tecnología es en verdad impresionante. El hecho de que el chip posea cuatro canales hoy no quiere decir que se trate de una barrera definitiva. IBM cree que es posible fabricar un chip electro-óptico con un rendimiento de 800 gigabits por segundo.

En la demo de los chips que realizó IBM se establecíó una interconexión a 100 Gb/s con una distancia máxima de dos kilómetros.

Esos números tal vez no parezcan tan interesantes si tenemos en cuenta que ya existen estándares Ethernet para 40 y 100 gigabits, pero lo mejor está por venir.

El siguiente paso para IBM es colocar la generación láser «dentro» del paquete (probablemente con semiconductores III-V), y más adelante, que todo el sistema óptico esté a la par de los transistores en el mismo molde.

Fuente: Neoteo

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