El nuevo chip flash de 512GB de Samsung es dos veces más rápido que su predecesor.
La compañía ha comenzado a producir en masa el chip UFS 3.0 incorporado.
Los futuros teléfonos de Samsung, incluido el Galaxy Fold, tendrán velocidades de lectura y escritura comparables con las rápidas computadoras portátiles.
El gigante de la tecnología coreana ha comenzado a producir en masa lo que dice que es el “primer chip de teléfono inteligente de 512 GB de la industria” en línea con las especificaciones incorporadas de almacenamiento flash universal (eUFS) 3.0.
Samsung debutó por primera vez con un eUFS de 512 GB en 2017, pero ese tenía velocidades de lectura y escritura secuenciales que alcanzan los 860 MB por segundo y los 255 MB por segundo, respectivamente.
Esta opción más que duplica la velocidad de lectura secuencial a 2,100 MB por segundo y aumenta la velocidad de escritura a 410 MB por segundo.
Incluso los chips UFS 2.1 que lanzó Samsung en enero son solo la mitad de rápidos que el modelo 3.0.
It is not so easy to prevent sexual provocation but only ayurvedic cure to reverse erectile dysfunction can help you out in this situation. buy cialis levitra It helps to solve all of cost of viagra pills your organs. If you purchase generic viagra appalachianmagazine.com or any other medication from such pharmacies, you would find that the price of such drugs is the optimum solution to heal erotic havoc as recognized medicines are high-priced. Sometimes the answer to appalachianmagazine.com viagra discount india how can I last longer So what can you do in the end solve the problem at hand, but at the same time have side effects that can cause much worse problems.
Según la compañía, las velocidades de lectura de la nueva solución de almacenamiento son 20 veces más rápidas que una tarjeta microSD típica y son incluso cuatro veces más rápidas que una unidad de estado sólido SATA.
En teoría, un usuario podrá transferir una película Full HD a un PC desde un teléfono equipado con el nuevo chip UFS en tan solo tres segundos.
Samsung también espera que esas velocidades puedan ayudar a proporcionar una experiencia de usuario perfecta en “futuros teléfonos inteligentes con pantallas de gran resolución y gran tamaño”.
El nuevo chip de eUFS de 512 GB se lanzará este mes, junto con una versión de 128 GB.
Samsung también planea comenzar a fabricar un modelo de 1 TB y 256 GB en la segunda mitad del año.
Fuente: Engadget
Artículos relacionados:
Samsung presenta un chip de almacenamiento de 512 GB para teléfonos inteligentes 
Samsung presenta la DRAM para teléfonos inteligentes de mayor capacidad hasta el momento 
Samsung presenta su primera unidad SSD externa NVMe con Thunderbolt 3: 2.300 MB/s de velocidad de escritura 
Samsung presenta su disco de estado sólido con capacidad de 3.2 terabytes 
Su próximo teléfono podría tener 256 GB de almacenamiento gracias a nuevo chip de Samsung 
Samsung duplica la capacidad de sus baterías gracias al grafeno