SAMSUNG DUPLICA LA VELOCIDAD DE ALMACENAMIENTO ACTUAL DE TELÉFONOS INTELIGENTES CON 512 GB DE EUFS 3.0
El nuevo chip flash de 512GB de Samsung es dos veces más rápido que su predecesor.
La compañía ha comenzado a producir en masa el chip UFS 3.0 incorporado.
Los futuros teléfonos de Samsung, incluido el Galaxy Fold, tendrán velocidades de lectura y escritura comparables con las rápidas computadoras portátiles.
El gigante de la tecnología coreana ha comenzado a producir en masa lo que dice que es el “primer chip de teléfono inteligente de 512 GB de la industria” en línea con las especificaciones incorporadas de almacenamiento flash universal (eUFS) 3.0.
Samsung debutó por primera vez con un eUFS de 512 GB en 2017, pero ese tenía velocidades de lectura y escritura secuenciales que alcanzan los 860 MB por segundo y los 255 MB por segundo, respectivamente.
Esta opción más que duplica la velocidad de lectura secuencial a 2,100 MB por segundo y aumenta la velocidad de escritura a 410 MB por segundo.
Incluso los chips UFS 2.1 que lanzó Samsung en enero son solo la mitad de rápidos que el modelo 3.0.
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En teoría, un usuario podrá transferir una película Full HD a un PC desde un teléfono equipado con el nuevo chip UFS en tan solo tres segundos.
Samsung también espera que esas velocidades puedan ayudar a proporcionar una experiencia de usuario perfecta en “futuros teléfonos inteligentes con pantallas de gran resolución y gran tamaño”.
El nuevo chip de eUFS de 512 GB se lanzará este mes, junto con una versión de 128 GB.
Samsung también planea comenzar a fabricar un modelo de 1 TB y 256 GB en la segunda mitad del año.
Fuente: Engadget
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