Categorías: Tecnología

Samsung presenta su nuevo módulo de memoria RAM DDR5 de 512 GB

Comparta este Artículo en:

Es la primera memoria RAM de la industria que utiliza la tecnología HKMG. Por ello consumirá menos energía y brindará más del doble de velocidad.

Su aplicación será clave en data centers.

Es el primero en su tipo en la industria basado en la tecnología de procesamiento High-K Metal Gate (HKMG).

Pero si ya se ilusiona con conseguir uno para su PC gamer o de uso diario, no se apresure.

El módulo fue desarrollado para tareas que requieran «gran demanda de cómputo y ancho de banda», según explicó la firma surcoreana.

Específicamente el módulo RAM DDR5 de 512 GB de Samsung fue pensado para su aplicación en el ámbito de la supercomputación, machine learning e inteligencia artificial.

Pero será sólo cuestión de tiempo antes de que el poderoso DDR5 arribe al mundo de los computadores tradicionales, con números mucho más modestos pero seguramente igual de seductores.

De acuerdo a la información provista, el nuevo módulo Samsung DDR5 de 512 GB puede duplicar el rendimiento de un DDR4, llegando hasta un máximo de 7,200 megabits por segundo.

La tecnología HKMG permitirá, además, que esta nueva memoria requiera alrededor de un 13% menos de energía.

To cure inability there are various medicines, but if one cialis generic mastercard is heedful. These type of drugs or erectile dysfunction buy brand levitra remedies available for the impotent males. So, order cialis online and cialise of same genre. Seafood, egg, prepared use products, and cod liver organ oil are the significant resources of. getting viagra in australia

Este componente puede ser un aliado clave de los centros de datos, cuando mucho se habla de la eficiencia energética como un punto crítico a abordar.

«Con la reducción continua de las estructuras DRAM, la capa de aislamiento se ha adelgazado, lo que lleva a una mayor corriente de fuga.

Al reemplazar el aislante con material HKMG, la DDR5 de Samsung podrá reducir las fugas y alcanzar nuevos niveles de rendimiento», afirmaron desde la compañía.

Apoyándose en la tecnología TSV (vías a través de silicio), el componente incorpora 32 pilas de 16 GB, conformadas por ocho capas de chips DRAM de 16 Gb, para llegar a la capacidad máxima de 512 GB.

No es la primera vez que Samsung recurre a esta modalidad para crear módulos RAM de gran capacidad.

Ya en 2014 el gigante surcoreano introdujo módulos para servidores de hasta 256 GB aplicando conexiones TSV en DRAM apilada.

En diciembre pasado TeamGroup, uno de los principales fabricantes de este tipo de componentes, anunció que sus primeros módulos DDR5 estarían disponibles desde el segundo semestre de 2021.

De todas maneras, los rumores más fuertes apuntan a que recién en 2022 serían accesibles a los consumidores.

Y una de las primeras en brindar soporte sería la arquitectura Zen 4 de AMD.

Fuente: Hipertextual

Editor PDM

Entradas recientes

Crean un implante que ayuda a personas con Parkinson a caminar

El invento ya se probó en un paciente francés, de 63 años, al que le…

20 hours hace

Nuevo compuesto de sangre de cerdo reversa la edad biológica de las ratas

Un par de científicos han desvelado una nueva terapia antienvejecimiento, elaborada a partir de sangre…

20 hours hace

Nuevas y revolucionarias pinzas hechas de luz para atrapar y manipular microobjetos

La necesidad de manipular objetos sin interactuar de forma física con ellos o a través…

20 hours hace

Fluctuaciones cuánticas del vacío para cambiar el estado magnético de un material

Un capítulo reciente en la investigación de física de materiales ha sido el uso de…

20 hours hace

Crean transistor térmico para dirigir el movimiento del calor

Se ha presentado públicamente un transistor térmico de estado sólido, el primero de su tipo,…

20 hours hace

Descubren un nuevo efecto cuántico llamado “espinarón”

Por primera vez, físicos experimentales han demostrado un nuevo efecto cuántico llamado acertadamente espinarón, un…

2 days hace
Click to listen highlighted text!