Un equipo de ingenieros eléctricos e informáticos del Instituto de Microsistemas y Tecnología de la Información de Shanghái, de la Academia China de Ciencias, en colaboración con un colega de la Universidad de la Ciudad de Hong Kong y otro de la Universidad de Fudan, ha desarrollado un nuevo transistor de efecto de campo (FET) bidimensional de bajo consumo que podría permitir que los teléfonos inteligentes necesiten recargarse con menos frecuencia.