Un grupo de investigadores experimentales y teóricos del departamento de Física de la Materia Condensada de la Universidad Autónoma de Madrid (UAM) (España) ha conseguido encontrar la ruta para modificar las propiedades de materiales semiconductores de espesor nanométrico a partir de deformaciones mecánicas fuertemente localizadas a escala micrométrica, concretamente en muestras de Seleniuro de Galio (GaSe).