NUEVO CAMINO HACIA LAS SINAPSIS ARTIFICIALES
Un apasionante campo de investigación en la inteligencia artificial, no exento de polémicas, es el que tiene como meta reproducir por medios artificiales desde el ámbito de la electrónica un cerebro humano.
Ya se han ideado diversos modelos de neurona artificial, el tipo más importante de célula cerebral, y ahora una investigación ha desembocado en el diseño de sinapsis artificiales.
Las sinapsis son, por así decirlo, los cables que conectan a unas neuronas con otras.
El logro es obra de científicos del Real Instituto de Tecnología (KTH) en Suecia y la Universidad de Stanford en Estados Unidos.
En diversas pruebas, unos componentes clave para lo que se conoce como memoria electroquímica de acceso aleatorio (ECRAM, por sus siglas en inglés) han mostrado una capacidad extraordinaria para complementar la tecnología clásica de transistores y contribuir a la comercialización de computadores con una potencia extraordinaria, basados en el modelo de red neuronal del cerebro.
Estos computadores neuromórficos pueden ser miles de veces más eficientes energéticamente que los actuales.
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Los prometedores componentes para memoria ECRAM que el equipo de Mahiar Max Hamedi (KTH) y Alberto Salleo (Universidad de Stanford) ha estado probando, están hechos de carburo de titanio, con un grosor del orden del átomo, por lo que se considera que es un material 2D.
En los componentes de la memoria ECRAM, la conmutación se lleva a cabo mediante la inserción de iones en un canal de oxidación, un proceso que tiene ciertos paralelismos con lo que ocurre en nuestro cerebro, que también trabaja con iones.
Las nuevas memorias ECRAM reúnen cualidades muy buenas, que permitirán acelerar el progreso necesario para que los computadores neuromórficos salten al mercado.
Aunque hay muchas otras barreras que superar antes de que los consumidores puedan comprar computadores neuromórficos, las nuevas memorias ECRAM constituyen un paso clave hacia esa meta.
Hamedi y sus colegas exponen los detalles de esta innovación tecnológica en la revista académica Advanced Functional Materials, bajo el título “High-Speed Ionic Synaptic Memory Based on 2D Titanium Carbide Mxene”.
Fuente: Advanced Functional Materials
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